广东：大力推动刻蚀机等光芯片关键装备研发和国产化替代

广东省人民政府办公厅印发《广东省加快推动光芯片产业创新发展行动方案（2024-20230年）》（附件见下方链接）。

其中提出，力争到 2030 年取得 10 项以上光芯片领域关键核心技术突破，打造 10 个以上“拳头”产品，培育 10 家以上具有国际竞争力的一流领军企业，建设 10 个左右国家和省级创新平台，培育形成新的千亿级产业集群，建设成为具有全球影响力的光芯片产业创新高地。

方案提到，加快开展光芯片关键材料研发攻关。大力支持硅光材料、化合物半导体、薄膜铌酸锂、氧化镓薄膜、电光聚合物、柔性基底材料、超表面材料、光学传感材料、电光拓扑相变材料、光刻胶、石英晶体等光芯片关键材料研发制造。

推进光芯片关键装备研发制造。大力推动刻蚀机、键合机、外延生长设备及光矢量参数网络测试仪等光芯片关键装备研发和国产化替代。落实工业设备更新改造政策，加快光芯片关键设备更新升级。

支持光芯片相关部件和工艺的研发及优化。大力支持收发模块、调制器、可重构光神经网络推理器、PLC分路器、AWG光栅等光器件及光模块核心部件的研发和产业化。支持硅光集成、异质集成、磊晶生长和外延工艺、制造工艺等光芯片相关制造工艺研发和持续优化。

方案还提到，省重点领域研发计划支持光芯片技术攻关。加大对高速光通信芯片、高性能光传感芯片、通感融合芯片、薄膜铌酸锂材料、磷化铟衬底材料、有机半导体材料、硅光集成技术、柔性集成技术、磊晶生长和外延工艺、核心半导体设备等方向的研发投入力度，着力解决产业链供应链的“卡点”“堵点”问题。

附件：《广东省加快推动光芯片产业创新发展行动方案（2024-20230年）》